O optymistycznych prognozach dla pamięci flash był poprzedni wpis, w tym będzie m.in. o grafenie i memrystorach – innowacyjnych technologiach, które w ciągu najbliższych dziesięciu lat mogą stać się alternatywą dla flash.

Komitet ITRS (International Technology Roadmap for Semiconductors) uznał grafen za materiał, który zastąpi krzem. Zdaniem specjalistów koniec epoki krzemu i początek ery grafenu może nastąpić około 2028 roku. Grupa naukowców z University of British Columbia zapewnia, że grafen nie tylko zastąpi krzem, ale będzie też świetnym nadprzewodnikiem. Technologie pamięci oparte na grafenie działają poprzez przekazywanie impulsów elektrycznych. Pozwolą one m.in. projektować smartfony mogące przechowywać 10-krotnie więcej danych przy użyciu mniejszej ilości energii akumulatora niż pamięci używane obecnie. Wśród 13 najważniejszych ośrodków naukowych prowadzących badania nad grafenem są Stanford University oraz MIT (Massachusetts Institute of Technology). Eksperymenty przeprowadzone przez naukowców z Stanford University wykazały, że grafen ma 10 razy większą pojemność niż pamięć na bazie krzemu. Warto w tym miejscu dodać, że pod koniec marca ub.r. ogłoszono powstanie polskiego Centrum Grafenu i Innowacyjnych Nanotechnologii przy Instytucie Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie, gdzie dzięki środkom unijnym będą prowadzone badania nad metamateriałami, kryształami fotonicznymi, nanokompozytami, a w szczególności nad grafenem.

Na 2016 rok HP zapowiedział nowy system obliczeniowy o nazwie “Maszyna” (The Machine). Ta rewolucyjna – jak zapewnia producent – architektura komputerowa jeżeli chodzi o przetwarzanie danych, została oparta na memrystorowej pamięci, fotonicznych magistralach systemowych oraz nowym systemie operacyjnym Linux++. W standardowej szafie Maszyna ma zawierać 2500 rdzeni obliczeniowych oraz 320 TB pamięci systemowej, czyli ponad 20 razy więcej niż obecnie oferują najpotężniejsze serwery. Pamięć memerystorowa – najwydajniejszy komponent superkomputera nowej generacji – ma być dostępny później.

Memrystor (memory resistor), czyli opornik z pamięcią, to czwarty podstawowy pasywny element elektroniczny (trzy pozostałe to kondensator, opornik i cewka), który do 1971 roku był jedynie opisywany seriami równań matematycznych. Jego rezystancja zmienia się w zależności od wysokości napięcia przepływającego przez niego prądu elektrycznego. Jak podaje Wikipedia, memrystor może być m.in. wykorzystywany do tworzenia pamięci o znacznie większej gęstości zapisu danych niż tradycyjne dyski twarde, ale o szybkości pracy zbliżonej do pamięci DRAM, a także do budowy tranzystorów o znacznie mniejszych wymiarach niż obecnie dostępne. Naukowcy uważają, że memrystor utoruje drogę do skonstruowania komputerów, które będą przetwarzać i kojarzyć informacje w sposób podobny do działania ludzkiego mózgu. Zarówno Intel, jak i HP są zaangażowane w badania związane z memrystorami.

Technologia 3D Xpoint – Intel

Pamięć nieulotna 3D XPoint zaprezentowana przez Intela i Micron w połowie br. to kolejna technologia, która stawia zasadnicze pytania o przyszłość pamięci masowych i architekturę komputerów. Ma stanowić przełom w zakresie wytwarzania pamięci od czasu wprowadzenia flash NAND (premiera w 1989 r.). Według jej twórców, zrewolucjonizuje urządzenia i usługi korzystające z szybkiego dostępu do dużych zbiorów danych. Jak twierdzą producenci, 3D XPoint łączy zalety wszystkich typów pamięci dostępnych obecnie na rynku. W porównaniu do flash NAND ma być nawet tysiąckrotnie szybsza oraz trwalsza, a także zapewniać 10-krotnie większe upakowanie niż konwencjonalna pamięć.

Wszystkie trzy ww. technologie to potencjalni kandydaci do zastąpienia rozwiązań NAND Flash w ciągu następnej dekady.

Porównanie wydajności różnych technologii storage’owych

Suplement do wpisu Optymistyczne prognozy dla pamięci flash

Do 2020 roku pamięci flash zdominują europejskie centra danych

Europejski rynek pamięci masowych szczególnie polubił macierze all-flash klasy enterprise. W ocenie analityków są one najbardziej popularne spośród dostępnych sposobów wdrażania technologii SSD. Ich popularność w Europie jest niemal taka sama jak w Stanach Zjednoczonych. Niemcy obok Wielkiej Brytanii są liderami pod względem wdrożeń hybrydowych macierzy flash, szczególnie w dużych i średnich przedsiębiorstwach.

Analitycy IDC zwracają uwagę, że rynek macierzy all-flash odnotował imponujący wzrost +113% (dane z połowy 2015 r.), pomimo ogólnych spadków sprzedaży o 11% (do 1,63 mld USD) na rynku systemów zewnętrznych pamięci masowych w regionie EMEA i spadku sprzedaży systemów pamięci masowych klasy high-end aż o 33%.

Do roku 2019 macierze all-flash zdominują rynek pamięci masowych, a 80% spośród wszystkich macierzy zawierać będzie jakiś komponent technologii flash. Hybrydowe macierze flash stanowić będą 50% rynku i będą stosowane jako tańsze rozwiązanie do obsługi dużych obciążeń – uważają analitycy IDC. Zdaniem ekspertów z firmy badawczej 451 Research, wszystkie podstawowe obciążenia w ciągu najbliższych 5 lat będą obsługiwane przez rozwiązania flash.